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High Voltage
Power MOSFET
IXTU05N100
IXTY05N100
V DSS
I D25
R DS(on)
=
=
≤
1000V
750mA
17 Ω
N-Channel Enhancement Mode
Avalanche Rated
TO-251
Symbol
Test Conditions
Maximum Ratings
G
V DSS
V DGR
T J = 25 ° C to 150 ° C
T J = 25 ° C to 150 ° C, R GS = 1M Ω
1000
1000
V
V
D
S
D (TAB)
V GSS
V GSM
I D25
I DM
Continuous
Transient
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C, pulse width limited by T JM
± 30
± 40
750
3
V
V
mA
A
TO-252
G
I A
E AS
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C
1
100
A
mJ
S
D (TAB)
dv/dt
P D
T J
T JM
T stg
I S ≤ I DM , V DD ≤ V DSS , T J = 150 ° C
T C = 25 ° C
3
40
-55 ... +150
150
-55 ... +150
V/ns
W
° C
° C
° C
G = Gate
S = Source
Features
D = Drain
TAB = Drain
T L
T SOLD
F C
Weight
1.6mm (0.062 in.) from case for 10s
Plastic body for 10s
Mounting force
TO-251
TO-252
300
260
1.13 / 10
0.40
0.35
° C
° C
Nm/lb.in.
g
g
International standard packages
Fast switching times
Avalanche Rated
Rugged polysilicon gate cell structure
Extended FBSOA
Applications
Switch-mode and resonant-mode
Symbol Test Conditions
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
Characteristic Values
Min. Typ. Max.
power supplies
Flyback inverters
BV DSS
V GS = 0V, I D = 250 μ A
1000
V
DC choppers
V GS(th)
V DS = V GS , I D = 250 μ A
2.5
4.5
V
Advantages
I GSS
V GS = ± 30V, V DS = 0V
± 100 nA
High power density
I DSS
R DS(on)
V DS = V DSS
V GS = 0V
V GS = 10V, I D = 375mA, Note 1
T J = 125 ° C
25 μ A
500 μ A
Ω
17
Space savings
? 2009 IXYS CORPORATION, All rights reserved
DS100102(01/09)
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IXTU2N80P 功能描述:MOSFET Polar MOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
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